“中国芯”已成为举国关注的话题。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。

　　4月底，工业和信息化部新闻发言人表态，中国将加快推动核心技术的突破，对于集成电路发展基金正在进行的第二期资金募集，欢迎各方企业参与。

　　继集成电路大基金第一期1387亿人民币投资以后，中国政府第二期大手笔资金投入再度聚焦市场的眼光。相关媒体报道显示，酝酿中的二期大基金预计不低于1500亿到2000亿元的规模。

　　国家队将如何支持芯片产业，大基金将主要投向哪些方向获关注。4月26日上午，习总书记来到紫光集团长江存储下属的武汉新芯调研时提到，具有自主知识产权的核心技术，是企业的“命门”所在。装备制造业的芯片，相当于人的心脏。心脏不强，体量再大也不算强。要加快在芯片技术上实现重大突破，勇攀世界半导体存储科技高峰。

　　21世纪经济报道记者近日采访武汉新芯相关人士，以武汉发力集成电路产业以及武汉新芯近十余年来如何发展等系列问题为样本，还原央地政府和企业在芯片领域的艰难突围。

　　从2006至今12年，央地政府持续大手笔投入武汉新芯，集成电路产业投资资金密集、周期长，这家在2017年前持续亏损的企业也在争议中奋力突围。

　　芯片被称作“工业粮食”，中国在芯片设计、制造能力和人才队伍方面还存在着差距，中国是世界上最大的芯片消费国，90%依赖进口，一年进口额超过2500亿美元。

　　武汉新芯央地政府发力芯片产业发展的代表企业，于2006年4月注册成立，由湖北省、武汉市和东湖高新区投资，一期投资规模达107亿元，是这些年来中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。

　　截止到目前，武汉新芯是我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业。武汉新芯面临着迫切的技术追赶任务，背后是央地政府持续投资。2015年8月5日，总规模不低于300亿元的湖北集成电路产业投资基金成立，其中武汉新芯是投资重点。国家集成电路第一期大基金1387亿投资，其投资重点之一就是存储器。

　　国家队发力存储器项目，原因在于中国集成电路产业中，存储器目前进口达85%以上，而存储器是信息系统的基础核心芯片。

　　华中科技大学微电子学院副院长、教育部“长江学者”特聘教授缪向水告诉21世纪经济报道记者，在存储器领域，中国目前面临的问题，一方面是对国外依赖性强，容易被“掐脖子”，中兴事件就是案例。另外，目前中国大数据、AI发展日新月异，对存储器芯片的应用越来越多，需求大，我国巨大的信息量都存在国外的存储器上，对我国信息安全也是一大隐患。武汉新芯目前作为存储器领域的国家队，技术研发任务艰巨。

　　华中科技大学教授、武汉集成电路设计工程技术研究中心主任邹雪城表示，“能不做就不做，能买就买”，这种早期的业务思想在面临信息安全和经济安全的情况下要意识到“科技是买不来的”。当整个国民系统对核心的技术依赖过高时，就必须要重视制造业的设计，同时也要做好相关的生态建设。

　　一位先后在新加坡和中国芯片企业工作十余年的研发人员告诉21世纪经济报道记者，在存储器行业，韩国三星接近垄断的局面己经持续多年，中国想打破垄断，十分困难，武汉新芯目前承担着往前冲的历史使命。

　　21世纪经济报道记者在武汉光电国家实验室中获取了一份《湖北省集成电路产业调研及建议》的材料，材料显示，存储器是应用最为普遍的集成电路芯片，在集成电路细分市场中规模最大。存储器芯片全球市场规模近800亿美元，在整个集成电路市场中占比为23%;国内存储器芯片市场规模达到415亿美元，占国内集成电路市场的23.7%，其比重超过CPU、手机基带芯片等，其增长率也远远超过其它种类的集成电路。

　　这几年武汉新芯受到多方的高度重视。早在2016年5月25日，李克强总理视察武汉新芯;同年8月26日，时任科技部部长万钢对武汉新芯进行考察调研;2017年5月4日，时任国务院副总理、国家集成电路产业发展领导小组组长马凯一行调研紫光集团旗下长江存储国家存储器基地项目现场。

　　从2014年到2018年，21世纪经济报道记者多次采访武汉新芯相关人士。武汉新芯仍是一家在争议中奋力突围的企业。

　　武汉新芯一期湖北省、武汉市投资107亿元，占当年省内国有经济投资总额的近十分之一。2012年武汉新芯实现销售收入1.62亿美元，但仍旧处于亏损状态。如果达到盈亏平衡点，需要进一步投入巨额资金扩大产能。

　　武汉新芯作为湖北、武汉两级政府耗资百亿但仍不见盈利的项目，曾经一度考虑引进战略投资者入股，由于不甘心成为代工厂，入股计划未果。

　　武汉新芯的转机，一定程度上来源于中央政府的政策支持，2014年6月国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要(2015-2025)》，决定了首个主攻对象为存储芯片。

　　同年9月设立“国家集成电路产业投资基金”，作为主力生产企业的武汉新芯受到了政策的青睐和扶持。

　　今年5月初，21世纪经济报道记者拜访参与湖北集成电路产业规划制定的专家，他表示，前几年武汉市相关领导还感慨，虽然武汉新芯一直在亏损，但幸亏没有卖掉，目前作为国家队在存储器领域突破的核心企业，其战略意义非常重大，研发追赶任务也一直很迫切。

　　截至2017年年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已经超过75 万片，覆盖从消费类到工业级，乃至汽车规范的全部NOR Flash 市场。武汉新芯的一位高管曾透露，总投资240亿美元的国家存储基地，预计2018年量产，2020年实现月产能30万片。

　　对于武汉新芯目前的财务状况，近日“荆楚在线日的一场创业论坛活动上，长江存储执行董事长、武汉新芯董事高启全透露，武汉新芯2017年成功实现扭亏为盈。

　　参与新芯项目的专家告诉21世纪经济报道记者，新芯确实在2017年实现了扭亏，一方面是国际市场行情较好，过去20年全球半导体工厂关得多，另外随着移动通信、物联网的发展，芯片需求大增，对于新芯来说是利好。当然还有一个原因，从财报来看，设备折旧结束。

　　财报上数据的扭亏，不意味着真正的曙光来临。在缪向水提供的资料中显示，目前，全球存储器市场高度垄断，市场和关键技术掌握在三星、东芝、海力士等几家寡头企业手上。三星、海力士和美光三家垄断了95%的DRAM存储器市场，三星、东芝、美光、海力士四家垄断了99%的NAND存储器市场，前6大厂家垄断了90%的NOR存储器市场。武汉新芯还有很远的路要走。

　　保持战略定力的武汉新芯，想要带领国家芯片存储器实现全球突围，在企业管理机制、人才、资金和技术创新方面，都还在路上。

　　“虽然是国企，但跟很多垄断性国企不一样，武汉新芯要面对的是全球化市场竞争，这个产业是全球化的透明市场，产品也没有指定单位采购，国企并不好做。”武汉新芯的一位从业人士告诉21世纪经济报道记者。

　　另外从近期中央高层考察再到地方政府的高度重视，企业像接了军令状一样，只能向前突围，现在没有退路。

　　上述人士否认外界质疑的效率和机制问题。“武汉新芯和现在的长江存储招募了专业的全球化高管人才，如果不是想做点事情，也不会花这么大气力全球挖人。”据介绍，引入国际化团队，也是希望引入现代化的企业管理和创新机制。

　　自2013年新加坡特许半导体原首席执行官杨士宁博士“坐镇”武汉新芯以来，武汉新芯也加大了人才投入的力度。

　　2014年年底，国家特聘专家、中芯国际集成电路制造副总经理洪沨博士被任命为武汉新芯COO以及华美半导体协会前会长，美国Pericom半导体公司工程部副总裁陈少民也被任命为武汉新芯CBO，而后期台湾DRAM教父高启全也晋升为长江存储的执行董事、代行董事长。

　　一位武汉新芯的在职人员表示，武汉新芯聘请了大量韩国、美国和新加坡技术人才，开会经常需要韩语、英语交流。

　　21世纪经济报道记者在采访新芯内部人士时发现，目前新芯在挖人和留人方面都下了功夫，国企薪酬机制相对互联网公司呆板一些，但对海外人才定价灵活，不过对大学生的定价还在改善，根据不同的岗位做调整，不像过去同批大学生同等工资，导致最后名校学生流失快。

　　从基础人才来看，中国集成电路人才的缺口依旧很大。据测算，中国需要70万集成电路领域的人才，而目前中国的从业者只有一半左右。

　　目前，华中科技大学成立了“华科长江存储班”，定向培养半导体行业的人才，直接输送到武汉新芯、长江存储就业。

　　“长江存储建设国家存储器产业基地需要1万个工程师。”缪向水说，近几年长江存储和武汉新芯的高管每年都会来华科给学生宣讲，讲芯片产业的国家战略和产业对人才的需求，欢迎毕业生去就业。

　　武汉新芯最核心的问题是技术追赶的问题。4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

　　21世纪经济报道记者注意到，作为全球最大的NAND闪存芯片制造商三星，早在2017年上半年，三星量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。

　　“我们国家目前能形成产能的是是32层3D NAND存储器芯片，年底将成功研发64层。但现在三星他们市场上使用的是64层的产品，并且已经有96层的技术了。”缪向水在接受采访时表示，虽然我们国家的技术稍微落后些，但是还是要必须去做，不做的话永远被掐脖子。

　　缪向水直言，集成电路产业是一个技术密集、人才密集、资本密集的行业，需要架构一个完整的生态链，要紧密把大学、企业、科研所连接成有机的合作整体。整个行业的发展不是一家或几家企业的事，是全社会的事。

　　5月14日，东湖高新区举行党工委中心组(扩大)学习报告会，邀请核高基国家科技重大专项技术总师、清华大学微电子所所长魏少军作了题为《发展集成电路产业要保持战略定力》的主题报告。保持战略定力持续投入和发展芯片，是武汉当下的重要命题。

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　　近日，武汉新芯集成电路制造有限公司（简称“武汉新芯”）——一家领先的集成电路研发与制造企业，与西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）开展专业领域纵深合作，其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台，加速行业技术创新实现重大突破：异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平，相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取，在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™)，实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRAM平

　　和乐鑫科技深化战略合作关系，拓展存储产品线日，武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）宣布与乐鑫信息科技(上海)股份有限公司（以下简称“乐鑫科技”）深化战略合作关系，持续发力于物联网市场开拓。武汉新芯与乐鑫科技达成战略合作已有一年时间，双方聚焦物联网应用市场，在存储器芯片产品与应用方案开发方面展开全方位的合作，目前武汉新芯已在乐鑫科技各大平台陆续导入FG 50nm NOR Flash系列产品，包括KGD合封方案及封装片，其出货量和销售额均保持着超150%的年复合增长率逐年递增。乐鑫科技CEO张瑞安表示，自2020年5月双方达成战略合作以来，武汉新芯为乐鑫科技提供了全方位的Flash技术支持服务以及长期稳定的产品供应。武汉新芯推出的FG 50nm NOR

　　晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。随着半导体技术的不断发展，3D-IC(三维集成电路)技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。在键合过程中，上晶圆和下晶圆相对设置并在外力作用下，由晶圆的中部向边缘接合而完成键合，在键合后若上、下晶圆需要对准的图形产生错位，会对器件的性能产生影响，甚至导致器件失效。为此，新芯在19年12月23日申请了一项名为“一种晶圆键合方法”的发明专利（申请号：5.1），

　　最新晶圆键合方法揭秘 /

　　集微网消息，在全球NOR Flash存储芯片领域，武汉新芯公司频频突破技术壁垒，此前公司在50nm闪存技术上取得突破,达到国际先进水平。而最近武汉新芯在NOR Flash的存储结构和擦除方法上，又带来了一个新的“惊喜”。在半导体器件领域，闪存以其工作速度快、数据可靠的特性可大量替代其他存储器嵌入到电路中。相对于NAND结构，NOR结构的非易失性闪存凭借单元面积小且读写时间短的优势可在市场中得到大规模应用。目前主流的NOR Flash主要基于浮栅闪存技术，存储区域在逻辑上分成多个存储块。擦除操作闪存读写之外的另一个重要特性，反映了器件本身性能的好坏，需要以存储块为单位进行顺次擦除，由于闪存集成了大量存储块，因此与读写操作相比，整体擦除

　　存储结构“更快”的整体擦除方法 /

　　今年全国两会，全国人大代表、华工科技董事长马新强提交两份与创新相关建议，包括：《关于支持武汉打造世界级“芯屏端网”产业基地的建议》、《武汉创建综合性国家产业创新中心的建议》。据证券时报报道，马新强建议，支持武汉打造世界级“芯屏端网”产业集群，包括建议构建世界级产业集群的创新平台、集聚产业发展的智力要素资源；利用国家集成电路产业基金，重点建设开放式硅光子工艺平台，提升流片效率；支持华中科技大学等“985”高校创立微电子一级学科，创新现有研究生培养模式，建设应用型微电子国家级人才培养高地；构建有利于武汉芯片企业发展的政策环境等。此外，马新强还建议建设武汉综合性国家产业创新中心。武汉具有建设综合性国家产业创新中心的优势和基础，在武汉建设综

　　近期，武汉新芯宣布与乐鑫科技达成长期战略合作。双方将围绕物联网应用市场领域，在物联网和存储器芯片产品与应用方案开发方面展开全方位的合作，助力创新产品开发，满足市场不断增长的新需求，为合作创造更大的商业价值。武汉新芯官方消息显示，乐鑫科技CEO张瑞安表示，乐鑫科技与武汉新芯此次合作的产品将覆盖16/32/64/128Mbit SPI NOR，武汉新芯推出的50nm新产品支持低功耗宽电压工作，高温可达105℃，能满足乐鑫科技全系列物联网芯片，智能家居及工业模组的应用要求。此外，武汉新芯运营副总裁孙鹏先生表示，武汉新芯此次推出的50nm高性能SPI NOR全系产品可提供小尺寸封装，KGD解决方案和RDL服务，能满足乐鑫科技定制化的产品设计

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